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标题: IVB新构造_3D晶体管 [打印本页]

作者: 铁锹 时间: 2012-6-18 09:12
标题: IVB新构造_3D晶体管
　　除了上述处理器生产制程工艺发生变化外，Intel还在研发新工艺制程和新晶体管架构，Intel发现了2D的瓶颈，于是决定多管齐下全方向减小栅极的漏电、降低处理器功耗，提高处理器性能。

三栅极晶体管发展

3-D晶体管结构图
当时情景是这样的：科学家研发出来3-D结构时非常兴奋，这让摩尔定律可以继续延续。相对于2-D平面栅极结构晶体管来说，三栅极晶体管是根据栅极具有三面而命名的。平面栅极变成了立体栅极，其意义与CPU的单核心迈向双核心有过之而无不及。当然目前我们可以理解为3-D晶体管就是芯片通道的立交桥，其作用就是使得芯片进行数据（0/1）“传输”更加高效。

晶圆电路“站立”起来
　　3-D晶体管代表着从2-D平面晶体管结构的根本性转变。实际上科学家们早就意识到3-D结构对延续摩尔定律的重要意义，因为面对非常小的设备尺寸，物理定律成为晶体管技术进步的障碍。3D的架构则意味着平面到空间的转换，以线动成面、面动成空间的基本常识来说，3-D晶体管可以看做是一种晶体管架构的大幅度进化。Web3D纳金网www.narkii.com

作者: 铁锹 时间: 2012-6-18 09:31

IVB新构造_3D晶体管

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